Analysis of the Role of Inter-Nanowire Junctions on Current Percolation Effects in Silicon Nanonet Field-Effect Transistors
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|
Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2020
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https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-02380107
Soumis le : vendredi 20 mai 2022-10:30:04
Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:42
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- HAL Id : hal-02380107 , version 1
- DOI : 10.1016/j.sse.2019.107725
- PII : S0038-1101(19)30728-2
Citer
T. Cazimajou, M. Mouis, M. Legallais, T.T.T. Nguyen, C. Ternon, et al.. Analysis of the Role of Inter-Nanowire Junctions on Current Percolation Effects in Silicon Nanonet Field-Effect Transistors. Solid-State Electronics, 2020, pp.107725. ⟨10.1016/j.sse.2019.107725⟩. ⟨hal-02380107⟩
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